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微影光蝕刻術起源于照相制版的技術。自1970年起,哈默納科正負光阻諧波傳動CSF-17-80-2A-R 才大量使用于半導體制程之圖形轉寫復制。原理即利用對紫外線敏感之聚合物,或所謂光阻(photo-resist)之受曝照與否,來定義該光阻在顯影液(developer)中是否被蝕除,而最終留下與遮掩罩幕,即光罩(mask)哈默納科正負光阻諧波傳動CSF-17-80-2A-R相同或明暗互補之圖形;相同者稱之「正光阻」(positiveresist),明暗互補者稱之「負光阻」(negativeresist),如圖2-6所示。一般而言,正光阻,如AZ-1350、AZ-5214、FD-6400L等,其分辨率及邊緣垂直度均佳,但易變質,儲存期限也較短(約半年到一年之間),常用哈默納科正負光阻諧波傳動CSF-17-80-2A-R于學術或研發(fā)單位;而負光阻之邊緣垂直度較差,但可儲存較久,常為半導體業(yè)界所使用。