DBC陶瓷敷銅燒結(jié)爐/氧化爐

DBC直接覆銅陶瓷基板采用DBC工藝制作，DBC英文簡稱是”Direct Bonding Copper”，直接覆銅陶瓷基板的意思。DBC陶瓷覆銅基板是采用陶瓷粉體如氧化鋁，氮化鋁，或者摻雜氧化鋯，經(jīng)過流延，燒結(jié)制成陶瓷基板，然后進行金屬化，制備成陶瓷覆銅板。

直接覆銅（DirectBond Copper，簡稱DBC）陶瓷基板是一種將高絕緣性的氧化鋁（Al2O3）或氮化鋁（AlN）陶瓷基板覆上銅金屬的新型復合材料。經(jīng)由高溫1065~1085℃的環(huán)境加熱，使銅金屬因高溫氧化、擴散與陶瓷產(chǎn)生共晶熔體，使銅與陶瓷基板黏合，形成陶瓷復合金屬基板；然后根據(jù)線路設計菲林貼膜曝光顯影，通過蝕刻方式備制線路基板。 主要應用于功率半導體模塊封裝、制冷器及高溫墊片。

  本設備主要用于陶瓷覆銅箔在N2或N2、O2混合氣氛條件下的高溫氧化、燒結(jié)等高溫熱處理等，具體說明如下：

  1額定溫度：1100℃;更高溫度：1150℃

  2有效高度：80mm

  3網(wǎng)帶寬度：200mm

  4網(wǎng)帶材質(zhì)：SUS314

  5更大負載：50Kg/m2(不含網(wǎng)帶自重)

  6爐膛結(jié)構(gòu)：采用大爐腔結(jié)構(gòu)和厚10mm SUS310S馬弗爐管結(jié)構(gòu)

  7傳動系統(tǒng)：大包角摩擦傳動

  8調(diào)速范圍：25～150mm/min，變頻無級調(diào)速

  9加熱元件：陶瓷棒外繞高溫合金絲(進口KANTHAL加熱絲)

  10燒結(jié)氣氛：氮氣+氧氣

  11氣路組成：12路氮氣，1路氧氣，每路流量可調(diào)節(jié)(詳見3.2技術(shù)說明)

  12氧含量檢測點：預熱區(qū)、高溫區(qū)1、高溫區(qū)2、冷卻區(qū)、混配出氣口共五點不銹鋼檢測管路并聯(lián)連接到氧分析儀，通過電磁閥來選擇切換點，可實時檢測爐內(nèi)氧含量，方便調(diào)節(jié)與選擇進氣量大小

  13氧含量(配氧分析儀表在線分析氧含量)：

  預熱區(qū)≤15ppm+氣源氧含量

  高溫區(qū)1≤10ppm+氣源氧含量

  高溫區(qū)2≤10ppm+氣源氧含量

  冷卻區(qū)≤15ppm+氣源氧含量(注：需保證氮氣氣源純度99.999%)

  14排氣系統(tǒng)：進、出口過渡套各設置1個排氣管(詳見3.2技術(shù)說明)

  15冷卻方式：采用氣冷和水冷相組合的方式冷卻，冷卻水套1點水溫檢測

  16網(wǎng)帶清洗方式：毛刷清洗

  17結(jié)構(gòu)劃分：(詳見3.1技術(shù)說明)

  18控溫穩(wěn)定度：±1℃

  19爐膛溫度均勻度：±2℃(恒溫區(qū)1100℃)

  20升溫速率：≤1.5℃/min

  21溫區(qū)個數(shù)：8個

  22控溫點數(shù)：8點

  23熱偶：K分度,美國瓦特龍

  24報警指示：超溫、變頻器報警、斷偶、低氣壓、低水壓聲光報警

  25停電保護：加裝手動搖出裝置

  26停帶保護：進出口端板各設1個急停按鍵

  27氮氣工作壓力：0.3～0.5Mpa

  28氮氣耗量：約12～15m3/h(立方米每小時)

  29氧氣工作壓力：0.1～0.2Mpa

  30氧氣耗量：約1～3L/h(升每小時)

  31氣體混配裝置：含進出口壓力檢測及緩沖閥

  32冷卻水耗量：約1～2m3/h(立方米每小時)

  33冷卻水工作壓力：0.15～0.25MPa，進水溫度小于30℃

  34表面溫升：<50℃

  35出料溫度：≤60℃

  36加熱功率：64kW

  37空爐保溫功率：≤25kW

  38電源：容量大于85 KVA，3相5線，220/380VAC，50Hz

  39重量：約1800Kg

  40外形尺寸：9550×1200×1450mm(L×W×H)，不含(煙囪、指示燈)