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　 NVIDIA企業(yè)運(yùn)算部門負(fù)責(zé)人Manuvir Das表示，隨著運(yùn)算及網(wǎng)路作業(yè)負(fù)載快速增加，AI 和零信任安全成為推動全球企業(yè)重新調(diào)整資料中心架構(gòu)的強(qiáng)大力量　 　 　 在BlueField上執(zhí)行的vSphere 8，能以更好的效能處理作業(yè)負(fù)載　

第二部分解釋了電路設(shè)計(jì)人員該如何評估柵極電壓欠沖是否會影響SiC-MOSFET的開關(guān)特性　在后一節(jié)，探討了柵極電壓欠沖對開關(guān)能量損耗以及器件熱行為的影響　3.1 柵極電壓特性圖4清楚地顯示了，外部柵極電阻分別為1Ω和10.1Ω時(shí)，關(guān)斷測量脈沖期間，柵極電壓隨時(shí)間的變化　

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