BWDT-3022A

晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀

一、產(chǎn)品基本信息

（1）產(chǎn)品名稱及用途

產(chǎn)品名稱：BWDT-3022A 晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀

產(chǎn)品用途：滿足電子元器件靜態(tài)直流參數(shù)測(cè)試需求

（2）產(chǎn)品信息及規(guī)格環(huán)境

產(chǎn)品信息

產(chǎn)品型號(hào)：BWDT-3022A

產(chǎn)品名稱：晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀；

物理規(guī)格

主機(jī)尺寸：深 305*寬 280*高 120(mm)

主機(jī)重量：＜5Kg

主機(jī)顏色：白色系

電氣環(huán)境 主機(jī)功耗：＜75W

環(huán)境要求：-20℃～60℃（儲(chǔ)存）、5℃～50℃（工作）

相對(duì)濕度：≯85%； 大氣壓力：86Kpa～106Kpa

防護(hù)條件：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等

電網(wǎng)要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz

工作時(shí)間：連續(xù)；

二、產(chǎn)品介紹

        BWDT-3022A 型晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀是專為測(cè)試電子元器件的直流參數(shù)而設(shè)計(jì)。 可測(cè)試三極管、MOS 場效應(yīng)管、J 型場效應(yīng)管、整流二極管、三端肖特基整流器、三端 電壓穩(wěn)壓器和基準(zhǔn)器 TL431，其良好的中文界面軟件，簡化了用戶對(duì) BWDT-3022A 的操 作和編程。測(cè)試條件和測(cè)試參數(shù)一次快捷設(shè)定，并存入 EEPROM 中。不需附加任何其它 軟件，無需操作培訓(xùn),就可操作該儀器. BWDT-3022A 為三極管、MOS 場效應(yīng)管、J 型場效應(yīng)管、二極管等提供了 15 種最主 要參數(shù)的測(cè)試，以及參數(shù)”合格/不合格”(OK/NO)測(cè)試，用戶通過機(jī)器上的按鍵很容易的把 測(cè)試條件輸入進(jìn)去，并將參數(shù)存入 EEPROM 中，便于日后方便且快速的打開調(diào)用。

三、產(chǎn)品特點(diǎn)

※ 大屏幕液晶,中文操作界面,顯示直觀簡潔,操作方面簡單

※ 大容量 EEPROM 存儲(chǔ)器,儲(chǔ)存量可多達(dá) 2000 種設(shè)置型號(hào)數(shù).

※ 全部可編程的 DUT 恒流源和電壓源

※ 內(nèi)置繼電器矩陣自動(dòng)連接所需的測(cè)試電路,電壓/電流源和測(cè)試回路

※ 高壓測(cè)試電流分辨率 1uA,測(cè)試電壓可達(dá) 1500V

※ 重復(fù)”回路”式測(cè)試解決了元件發(fā)熱和間歇的問題

※ 軟件自校準(zhǔn)功能

※ 產(chǎn)品基于大規(guī)模微處理器,當(dāng)用戶選定了設(shè)置好的型號(hào)時(shí),在手動(dòng)測(cè)試時(shí),按下測(cè)試 開關(guān),使測(cè)試機(jī)開始執(zhí)行功能檢測(cè),自動(dòng)測(cè)試過程將在 BWDT-3022A 的測(cè)試座上檢測(cè) DUT 短路,開路或誤接現(xiàn)象,如果發(fā)現(xiàn),就立即停止測(cè)試。功能檢測(cè)主要目的是保護(hù)被測(cè)器件DUT 不因型號(hào)選錯(cuò)而測(cè)壞

※ DUT 的功能檢測(cè)通過 LCD 顯示出被測(cè)器件/DUT 的類型(三極管,MOS 場管等),引腳 排列(P_XXX)測(cè)試方式(手動(dòng)/自動(dòng))并繼續(xù)進(jìn)行循環(huán)測(cè)試,顯示測(cè)試結(jié)果是否合格,并有聲光 提示

※ 在測(cè)試整流二極管時(shí),BWDT-3022A 能自動(dòng)識(shí)別引腳功能,并自動(dòng)轉(zhuǎn)換矩陣開關(guān)進(jìn) 行參數(shù)測(cè)試.測(cè)試后顯示對(duì)應(yīng)引腳功能號(hào)

※ 兩種工作模式

1、自動(dòng)模式：自動(dòng)檢測(cè)有無 DUT 放于測(cè)試座中,有則自動(dòng)處于重復(fù)測(cè)試狀態(tài),無則處 于重復(fù)檢測(cè)狀態(tài)；

 2、手動(dòng)模式：（剛開始未測(cè)試時(shí)屏幕白屏屬正常現(xiàn)象）;當(dāng)測(cè)試開關(guān)按下后自動(dòng)對(duì)測(cè) 試座中的 DUT 進(jìn)行檢測(cè)測(cè)試,長按開關(guān)不松開則處于重復(fù)測(cè)試狀態(tài),松開開關(guān)則自動(dòng)停止測(cè)試

四、測(cè)試種類及參數(shù)注釋

1、BJT/三極管

(1)Vbe:Ib:表示測(cè)試三極管 VBE 壓降時(shí)的輸入電流.

(2)Vce:Bv:表示測(cè)試三極管耐壓 BVceo 時(shí)輸入的測(cè)試電壓.

(3)Vce:Ir:表示測(cè)試三極管耐壓 BVceo 時(shí)輸入的測(cè)試電流.

(4)HEF:Ic:表示測(cè)試三極管直流放大倍數(shù)的集電極電流.

(5)HEF:Vce:表示測(cè)試三極管直流放大倍數(shù)的集電極電壓

(6)Vsat:Ib:表示測(cè)試三極管飽和導(dǎo)通壓降時(shí)輸入基極的電流.

(7)Vsat:Ic:表示測(cè)試三極管飽和導(dǎo)通壓降時(shí)輸入集電極的電流.

(8)Vb:表示三極管的輸入壓降 VBE.

(9)VCEO:表示三極管的耐壓(BVceo).

(10)HEF:表示三極管的直流放大倍數(shù)(HEF).

(11)Vsat:表示三極管的飽和導(dǎo)通壓降(VCEsat).

(12)TestModel:Auto :表示設(shè)置為自動(dòng)識(shí)別測(cè)試.

(13)TestModel:Manual :表示設(shè)置為手動(dòng)測(cè)試.

2、MOSFET/場效應(yīng)管

(1)Vth:ID:表示測(cè)試場效應(yīng)管柵極啟動(dòng)電壓(Vgs(th))的輸入電流.

(2)Vds:Bv:表示測(cè)試場效應(yīng)管耐壓(BVdss)時(shí)的測(cè)試電壓.

(3)Vds:Ir:表示測(cè)試場效應(yīng)管耐壓(BVdss)時(shí)的測(cè)試電流.

(4)Rs:Vg:表示測(cè)試場效應(yīng)管內(nèi)阻(Rson)時(shí)加在柵極的電壓.

(5)Rs:ID:表示測(cè)試場效應(yīng)管內(nèi)阻(Rson)時(shí)的測(cè)試電流.

(6)Vth:表示場效應(yīng)管的啟動(dòng)電壓(Vgs(th)).

(7)Bvds:表示場效應(yīng)管的耐壓(BVdss).

(8)Rs:表示場效應(yīng)管的導(dǎo)通內(nèi)阻(Rdson)

(9)Igss:OG:表示測(cè)試場管輸入端 G 極的電容漏電特性，該設(shè)置數(shù)據(jù)為延時(shí)時(shí)間數(shù)，利 用延時(shí)設(shè)定時(shí)間后 VGS 電壓的保持量來測(cè)漏電特性。

(10)Test:T:表示測(cè)試多少次后就停止測(cè)試?？稍O(shè)定到 9999 次。

3、JFTE/結(jié)型場效應(yīng)管

(1)Ids:Vd 表示測(cè)試結(jié)型場效應(yīng)管漏極飽和電流(Idss)加在 D 極和 S 極的電壓(Vds)

(2)Vds:Bv 表示測(cè)試結(jié)型場效應(yīng)管耐壓(BVdss)時(shí)的測(cè)試電壓.

(3)Vr:Ir 表示測(cè)試結(jié)型場效應(yīng)管耐壓(BVdss)時(shí)的測(cè)試電流.

(4)Voff:Vd 表示測(cè)試結(jié)型場效應(yīng)管阻斷電壓(Vgs(off))加在 D 極和 S 極的電壓(Vds).

(5)Voff:Id 表示測(cè)試結(jié)型場效應(yīng)管阻斷電壓(Vgs(off))加在 D 和 S 的電流.

(6)Is:表示結(jié)型場效應(yīng)管的漏源飽和電流(Idss),在 GS=0V 的條件下測(cè)得.

(7)Bvds:結(jié)型場效應(yīng)管在關(guān)斷時(shí)的擊穿電壓.

(8)Vof:結(jié)型場效應(yīng)管的阻斷電壓(VGS(off)).

(9)gm:結(jié)型場效應(yīng)管的跨導(dǎo)系數(shù),即導(dǎo)通內(nèi)阻的倒數(shù).

4、三端穩(wěn)壓 IC

(1)Vo:Vi 表示測(cè)試三端穩(wěn)壓時(shí)的輸入測(cè)試電壓.

(2)Vo:Vi 表示測(cè)試三端穩(wěn)壓時(shí)加在輸出端的負(fù)載電流

(3)Vo:表示三端穩(wěn)壓的輸出電壓數(shù).

5、基準(zhǔn) IC

(1)Vz:Iz 表示測(cè)試基準(zhǔn) IC 時(shí)的輸入測(cè)試電流.

(2)Vz:表示基準(zhǔn) IC 的穩(wěn)定電壓數(shù)

6、整流二極,三端肖特基整流器

(1)VF:IF 表示測(cè)試三端肖特正向壓降 VF 的測(cè)試電流.

(2)Vr:Bv 表示測(cè)試三端肖特反向耐壓(VRRM)的測(cè)試電壓.

(3)Ir:Fu 表示測(cè)試時(shí)反向漏電流參數(shù)是否要測(cè)，設(shè)大于 0 為開啟該項(xiàng)參數(shù)。

(4)Vr:Ir 表示測(cè)試三端肖特反向耐壓(VRRM)的測(cè)試電流.

(5)VF1:表示測(cè)試三端肖特正向壓降 1. (5)VF2:表示測(cè)試三端肖特正向壓降

                                          BW-3022A測(cè)試技術(shù)指標(biāo)：

1、 整流二極管,三端肖特基:

耐壓(VRR)測(cè)試指標(biāo)

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-1600V	2V	+/-2%	0-2.000mA

導(dǎo)通正向壓降(VF)

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-2.000V	2mV	+/-2%	0-2.000A

2 、N型三極管

輸入正向壓降(Vbe)

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-2.000V	2mV	+/-2%	0-2.000A

耐壓(Bvceo)測(cè)試指標(biāo)

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-1600V	2V	+/-5%	0-2.000mA

直流放大倍數(shù)(HEF)

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-12000	1	+/-2%	0-2.000A(Ic) 0-20V(Vce)

輸出飽和導(dǎo)通壓降(Vsat)

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-2.000V	2mV	+/-2%	0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic)

3、P型三極管

輸入正向壓降(Vbe)

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-2.000V	2mV	+/-2%	0-2.000A

耐壓(Bvceo)測(cè)試指標(biāo)

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-1600V	2V	+/-5%	0-2mA

直流放大倍數(shù)(HEF)

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-3000	1	+/-2%	100uA(Ib) 5V(Vce)固定

輸出飽和導(dǎo)通壓降(Vsat)

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-2V	2mV	+/-2%	0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic)

4、N,P型MOS場效應(yīng)管

輸入啟動(dòng)電壓(VGS(th))

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-20.00V	20mV	+/-2%	0-2.000mA

耐壓(Bvds)測(cè)試指標(biāo)

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-1500V	2V	+/-5%	0-2mA

導(dǎo)通內(nèi)阻(Rson)

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-9999MR	0.1MR	+/-5%	0-20.00V(VGS) 0-2.000A(ID)
10R-100R	0.1R	+/-5%	0-20.00V(VGS) 0-2.000A(ID)

5、三端穩(wěn)壓IC

輸出電壓(Vo)

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-20.00V	20mV	+/-2%	0-20.00V(VI) 0-1.000A(IO)

6、基準(zhǔn)IC 431

輸出電壓(Vo)

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-20.00V	20mV	+/-2%	0-1A(Iz)

7、結(jié)型場效應(yīng)管

漏極飽和電流(Idss)

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-40mA	40uA	+/-2%	0V(VGS) 0-20V(VDS)
40-400mA	400uA	+/-2%	0V(VGS) 0-20V(VDS)

耐壓(Bvds)測(cè)試指標(biāo)

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-1600V	2V	+/-5%	0-2mA

夾斷電壓(Vgs(off))

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-20.00V	0.2V	+/-5%	0-20V(VDS) 0-2mA(ID)

共源正向跨導(dǎo)(gm)

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-99mMHO	1mMHO	+/-5%	0V(VGS) 0-20V(VDS)

8、雙向可控硅

導(dǎo)通觸發(fā)電流(IGT)

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-40.00mA	10uA	+/-2%	0-20.00V(VD) IT(0-2.000A)

導(dǎo)通觸發(fā)電壓(VGT)

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-2.000V	2mv	+/-2%	0-20.00V(VD) IT(0-2.000A)

耐壓(VDRM/VRRM)

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-1500V	2V	+/-5%	0-2.000mA

通態(tài)壓降(VTM)

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-2.000V	2mV	+/-2%	0-2.000A(IT)

保持電流(IH)

測(cè)試范圍	分辨率	精度	測(cè)試條件
0-400mA	0.2mA	+/-5%	0-400Ma(IT)