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氣相外延工藝和CVD方法類似,通過包含反應物的攜載氣體,哈默納科分子束諧波FHA-40C-100-E250-BC在襯底表面淀積同質材料。外延工藝主要用于在硅襯底表面淀積多晶硅薄膜,這些多晶硅是摻雜的硅晶體且晶向隨機排列,用于在硅襯底指定區(qū)域實現(xiàn)導電。外延工藝與CVD方法的工藝設備結構基本相同。使用時用H2作為攜載氣體。為安全起見,在工藝開始之前哈默納科分子束諧波FHA-40C-100-E250-BC采用N2清除反應爐中可能存在的O2。外延層的形成過程如圖所示,化學反應公式見式(2-3)所示為一種氣相外延設備。
分子束外延是一種在晶體基片上生長高質量的哈默納科分子束諧波FHA-40C-100-E250-BC晶體薄膜的新技術。在超高真空條件下,