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擴(kuò)散及離子植入是用來控制半導(dǎo)體中雜質(zhì)量的關(guān)鍵程序。harmonic精確控制諧波CSG-65-160-2A-GR 擴(kuò)散方法是使用植入雜質(zhì)或雜質(zhì)的氧化物作氣相附著，將雜質(zhì)原子植入半導(dǎo)體晶圓的表面附近區(qū)域。harmonic精確控制諧波CSG-65-160-2A-GR雜質(zhì)濃度由表面成單調(diào)遞減，雜質(zhì)的分布固形取決于溫度及擴(kuò)散時(shí)間。離子植入程序中，雜質(zhì)是以高能呈離子束植入半導(dǎo)體中。植入雜質(zhì)的濃度在半導(dǎo)體內(nèi)存在一高峰，雜質(zhì)的分布圖形取決于離子的質(zhì)量與植入能量。離子植入程序的優(yōu)點(diǎn)在于雜質(zhì)量的精確控制，雜質(zhì)分布的再重整，以及低溫下操作。擴(kuò)散與離子植入之比較如圖1.3所示。
雜質(zhì)的擴(kuò)散基本上是將半導(dǎo)體晶圓置于熔爐中，然后以帶雜質(zhì)原harmonic精確控制諧波CSG-65-160-2A-GR子的惰性氣體通過。于硅擴(kuò)散作用中，最常使用的雜質(zhì)為硼、砷及磷，這三種元素在硅中的溶解度相當(dāng)高
